КАЙНЦ Д. І. Доменна структура та азові перетворення у халькогенідних сегнетоелектриках-напівпровідниках та сегнетоеластиках

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0406U003106

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

30-06-2006

Спеціалізована вчена рада

К 61.051.01

Анотація

Дисертаційна робота присвячена дослідженню доменної структури сегнетоелектричних кристалів Sn2P2S6 та SbSI і сегнетоеластичних кристалів та твердих розчинів сімейства аргиродитів типу Cu6PS5Br(I,Cl). Показано можливість існування, поряд з електронейтральними доменними стінками, заряджених доменних границь, нахилених до полярного вектора. Проведено дослідження макродефектної структури кристалів Sn2P2S6. Досліджена доменна структура номінально чистих та змішаних кристалів системи Cu6PS5Br(I,Cl). Запропоновано опис реальної структури кристала Cu6PS5Br як природної надгратки для кубічної прафази з повністю заповненими позиціями атомів міді, на відміну від реального заповнення 33%. Існування реальної кубічної гранецентрованої надгратки -43с було виявлено для складів Cu6PS5Br1-хIх з підвищеним вмістом йоду (х ? 0,5). На основі сукупності даних по спостереженню доменної структури, рентгеноструктурному та калориметричному аналізу та вивченню температурних залежностей швидкості ультразвуку, термічного розширення та провідності запропоновано концентраційну фазову діаграму змішаних кристалів Cu6PS5Br1-хIх.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах