Фомін О. С. Формування стабільних сенсорних характеристик кристалів CdZnTe і ZnSe

Об'єкт - промислові кристали CdZnTe і ZnSe, вирощені з розплаву за методом Бріджмена, а також діючі зразки сенсорів на їх основі; мета - експериментальне встановлення впливу різномасштабних структурних неоднорідностей, сформованих двовимірними дефектами структури, на стійкість фотовідклику кристалів CdZnTe і ZnSe на дію зовнішніх чинників (енергії фотонів, температури, частоти і напруженості зовнішнього електричного поля) і розробка способу цілеспрямованого формування стабільних електрофізичних характеристик цих кристалів; методи - оптичні (оптико-поляризаційний, тіньовий, оптична та ІЧ-мікроскопія), діелектричні, акустичні, хімічного травлення, профілометрії, фотопровідності; новизна - вперше встановлено, що нестійкі джерела і стоки внутрішніх пружних та електричних полів, породжені різномасштабними угрупуваннями двовимірних дефектів структури, обумовлюють взаємозв'язок локальних нестійкостей спектральних, динамічних, акустичних характеристик кристалів CdZnTe і ZnSe; результати - розроблено і запатентовано спосіб акустично-лазерної обробки кристалів, спосіб виявлення функціонально подібних структурних неоднорідностей в п'єзоелектричних кристалічних матеріалах; впроваджено на державному підприємстві "Науково-дослідний технологічний інститут приладобудування": галузь - виробництво сенсорів, обробка кристалічних матеріалів