Заплітний Р. А. Х-променева дифрактометрія епітаксійних структур CdHgTe та кристалів Si після іонної імплантації.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0406U004998

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.07 - Фізика твердого тіла

01-12-2006

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

Проведено комплексні Х-променеві дослідження механізмів структурних змін у приповерхневих шарах іонно-імплантованих As кристалів CdTe, епітаксійних структур CdхHg1-хTe зі складною дефектною структурою (дислокаційні петлі, малокутові границі, антиструктурні дефекти) після одно- та двократної імплантації іонами арсену. Досліджено вплив комбінованої дії іонної імплантації фосфором і хімічного травлення на структурні властивості монокристалів кремнію.

Файли

Схожі дисертації

0424U000081

Чурілов Ігор Георгійович

Особливості термічного впливу на морфологічні зміни і механізм утворення рідкої фази у конденсованих однокомпонентних плівках (Pb, Sn, In, Bi) та у бінарних шаруватих плівках (Bi/Sn, Pb/Sn, Pb/In)

0424U000065

Мазур Дмитро Вікторович

Особливостi рентґенiвських спектрiв поглинання та магнiтного циркулярного дихроїзму оксиґенвмiсних сполук на основi металiв 4-го перiоду

0523U100214

Олійник Сергій Володимирович

Фізичні основи формування електричних та фотоелектричних властивостей кристалів AIIBVI і електричних властивостей багатокомпонентних покриттів

0522U100045

Богданов Євген Іванович

Ефекти азимутальної асиметрії розсіяння випромінення у кристалах та новітні можливості дифузнодинамічної дифрактометрії

0522U100002

Владимирський Ігор Анатолійович

Термодифузійні структурно-фазові зміни в гетерогенних системах на основі магнітних і немагнітних наношарів