Редько Р. А. Модифікація дефектної структури напівпровідникових сполук А2В6 та А3В5 високочастотним електромагнітним випромінюванням

Робота присвячена дослідженню особливостей перебудови домішково-дефектних станів у сполуках А2В6 та А3В5 під дією високочастотного електромагнітного випромінювання. У роботі розвивається перспективний напрямок фізики твердого тіла, пов'язаний з використанням НВЧ випромінювання як цілеспрямованого методу модифікації дефектної структури напівпровідників. Результати роботи є важливими також для розвитку наукових основ створення детальної та послідовної картини взаємодії НВЧ хвилі з напівпровідниковими матеріалами. Вперше проведено експериментальне дослідження впливу електромагнітного випромінювання НВЧ діапазону різної потужності та частоти на спектр дефектних станів напівпровідникових кристалів CdS, GaAs, GaP, InP, а також на структури SiO2/GaAs, por-InP. Проведено оцінку можливих механізмів трансформації дефектної структури при мікрохвильовому опромінюванні. Зміни у спектрах випромінювальної рекомбінації досліджуваних структур пояснюються перетвореннями, якісно подібними до тих, що мають місце при магнітній обробці. Показано можливість використання мікрохвильового опромінювання в технологічних цілях.