Голомб Р. М. Коливні спектри стекол As(Ge)xS100-x при варіації енергії збуджуючих фотонів та першопринципні розрахунки властивостей кластерів As(Ge)nSm

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0407U001592

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

23-03-2007

Спеціалізована вчена рада

К 61.051.01

Анотація

Дисертаційна робота присвячена спектроскопічним дослідженням процесів наноструктуроутворення в склоподібних сульфідах миш'яку і германію та їх впливу на оптичні властивості стекол. На основі розрахунків електронної структури кластерів As(Ge)nSm пояснено особливості краю поглинання с-AsxS100-x та технологічно модифікованих с-GeS2(Tx,Vy). В спектрах мікро-КРС с-AsxS100-x (х?40) виявлено поліморфні перетворення молекул реальгару при збільшенні енергії збуджуючих фотонів (Езб) до 1.96 еВ. В спектрах сіркозбагачених стекол с-AsxS100-x при Езб=2.41 еВ виявлено перетворення кільцеподібних молекул S8 в ланцюжковоподібну сірку Sn. Встановлено, що в с-GeS2 структурно відмінною компонентою від основної матриці є нанокластери на основі с. о. SGe3/3, а резонансні ефекти в спектрах мікро-КРС с-GeS2 пов'язані з наявністю тетраедрів GeS4, з'єднаних по ребру. Виявлено залежність характеристик "бозонівського" максимуму (БМ) в низькочастотних спектрах КРС стекол від концентрації (с-AsxS100-x) та умов синтезу (с-GeS2). Першопринципними розрахунками встановлено наявність низькочастотних коливних мод в ланцюжкових кластерах з розмірами ~1 нм. та показано можливість впливу колективних торсійних коливань кластерів в області БМ спектрів КРС ХСН.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах