Салех М. М. Елементи та пристрої автоматики на базі потенційно-нестійких двозатворних напівпровідникових структур Шоттки.

Об'єктом дослідження є процес перетворення інформаційних сигналів у спеціалізованих засобах обробки інформації з частотним поданням. Метою роботи є покращення технічних характеристик елементів і пристроїв автоматики за рахунок використання потенційно-нестійких двозатворних напівпровідникових структур Шоттки. Використані методи базуються на теорії матриць, теорії комфортних відображень, теорії перетворювачів імітансу, теорії аналізу електронних схем, теорії стійкості, а також методах фізичного і комп'ютерного моделювання. У дисертації вперше розроблено узагальнену імітансну математичну модель двозатворної напівпровідникової структури Шоттки. Розроблено і досліджено схему включення двозатворної потенційно-нестійкої структури Шоттки, що забезпечує реалізацію напівпровідникового еквівалента індуктивності у вигляді напівпровідникової мікросхеми в широкому діапазоні частот. Вперше розроблено схеми комбінованих динамічних негатронів на базі ПТШ2. Розроблено і досліджено схеми активних однокристальних фільтрів, що здатні працювати на частотах у кілька десятків гігагерц. Ступінь впровадження - в межах галузі. Сфера (галузь) використання - електроніка.