СЛІПУХІНА І. В. Вплив симетрійних та структурних факторів на формування енергетичного спектру поблизу забороненої зони складних напівпровідників

Дисертаційна робота присвячена дослідженню симетрійних та структурних факторів, які є визначальними у формуванні енергетичних спектрів складних кристалів, а також характеризують їхній відклик на зовнішні збурення такі як деформації та дефекти. В рамках концепції мінімальних комплексів зон з використанням наближення пустої ґратки встановлено основні симетрійні аспекти формування зонного спектру кристалу CdSb в околі забороненої зони. На прикладі цього напівпровідника встановлено особливості формування мінімальних комплексів зон у валентній зоні кристалів, у яких жоден з атомів в елементарній комірці не розміщується в специфічних позиціях Викоффа. Проведено дослідження відмінностей у комплексоутворенні в зонних спектрах ізовалентних кристалів SnS та PbS групи A4B6 з суттєво різною симетрією, а також твердого розчину Pb0.5Sn0.5S на їхній основі. Досліджено вплив зсувних деформацій на топологію зон в околі забороненого проміжку в кристалах SbSI та In4Se3. Методами з перших принципів досліджено зміни в зонному спектрі інтеркальованого міддю та літієм кристалу In4Se3.