Ревенко А. С. Властивості плівок GaN, отриманих на поруватому GaAs методом нітридизації

В дисертаційній роботі отримано нові типи гетеропереходів GaN/por-GaAs/GaAs, представ-лено результати досліджень їх властивостей. Розроблена математична модель конвертації поверх-невих шарів GaAs у GaN за рахунок дифузії атомів азоту у GaAs за механізмом kick-out. Встанов-лено, що за температур, менших 800 К інтенсивність конвертації недостатня для формування плі-вок GaN, внаслідок чого формується потрійна сполука GaAsN. За температур, вищих 1000 К від-бувається погіршення морфології плівок внаслідок інтенсивної декомпозиції матеріалу підкладки GaAs. Досліджено властивості плівок GaN/por-GaAs, доведено позитивний вплив використання поруватих підкладок GaAs на їх оптичні, структурні та морфологічні властивості. З'ясовано позитивний вплив відпалення гетероепітаксійних плівок GaN у радикалах азоту на склад власних дефектів: зменшення концентрації точкових дефектів вакансій азоту та донно-акцепторних пар, поліпшення стехіометрії у плівках GaN. На основі проведених досліджень оптимізовано фізико-технологічні аспекти нітридизації поруватих підкладок GaAs для формування якісних напівпровідникових гетероструктур GaN/por-GaAs/GaAs.