Пугіна К. В. Молекулярно-динамічне моделювання іонного розпилення поверхневих металевих кластерів

Молекулярна динаміка. Потенціал міжатомної взаємодії. Коефіцієнт розпилення. Кластер. Підкладинка. Каскад атомних зіткнень. Досліджено механізми іонного розпилення поверхневих металевих кластерів. В якості методу дослідження застосовано метод молекулярної динаміки. Виконано молекулярно-динамічне моделювання розпилення іонами аргону низьких енергій (200 еВ) металевих кластерів (Cu, Au) з поверхонь металевих монокристалічних підкладинок (Cu, Au). Отримано, що при іонному розпиленні поверхневих металевих кластерів мають місце напрямки переважного виходу розпилення атомів з кластерів. Встановлено, що підкладинка при цьому має визначний вплив на формування цих напрямків, так як саме взаємодія з підкладинкою визначає структуру поверхневого кластера. Отримано також, що підкладинка грає роль енергетичного стоку для каскадних атомів кластера. Визначено залежність процесу розпилення кластера від його геометрії. Досліджено вплив температури на розпилення поверхневих нанокластерів й показано, що теплові коливанняатомів призводять до дефокусування атомів, розпилених з поверхневих кластерів. Показано, що невідповідність значень сталих кристалічної ґратки матеріалу кластера і підкладинки в двокомпонентних системах кластер-підкладинка призводить до зменшення інтенсивності розвитку каскаду атомних зіткнень, порівняно з однокомпонентною системою.