Павлов В. В. Оптичні та електрофізичні властивості монокристалів селеніду цинку, легованих елементами перехідних металів.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0408U000594

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

01-02-2008

Спеціалізована вчена рада

Д 41.051.01

Одеський національний університет імені І.І.Мечникова

Анотація

Дисертація присвячена з'ясуванню впливу домішок хрому і кобальту на спектри поглинання у видимій і ІЧ-областях кристалів селеніду цинку, визначенню природи оптичних переходів, а також коефіцієнтів дифузії цих активаторів в монокристалах ZnSe. В спектрах оптичного поглинання кристалів ZnSe:Cr спосте-рігались характерні смуги в синьо-зеленій області. Інтерпрето-вано їх природу. В області краю поглинання кристалів ZnSe:Co знайдена серія слабких ліній поглинання на 2.36, 2.43, 2.47 і 2.55 еВ. Ці лінії є результатом електронних переходів в межах іону кобальту. Спостережуваний зсув однотипних ліній погли-нання в широкому спектральному діапазоні кристалів ZnS:Co, ZnSe:Co, ZnTe:Co обумовлений збільшенням іонного радіусу аніонів в послідовності S - Se - Te. Встановлено відповідність дифузійного профілю домішок хрому і кобальту та профілів відносної оптичної густини лего-ваних кристалів. Визначено коефіцієнти дифузії досліджуваних домішок в кристалах ZnSe в температурному діапазоні 1073-1273 K. Введення домішокхрому і кобальту в ZnSe приводить до утворення глибоких донорних центрів з енергією активації 0.65 еВ, якими є атоми міжвузлового цинку Zni. Показано наявність фотопровідності у кристалів ZnSe:Cr і ZnSe:Co при освітленні їх світлом з області видимої частини спектру.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах