Ковалевська О. С. Підвищення точності технологічних процесів контурного фрезерування за рахунок корекції розмірів обробки

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0408U000773

Облікова картка дисертації

0408U000773.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 05.02.08 - Технологія машинобудування

31-01-2008

Спеціалізована вчена рада

Д 11.052.04

Анотація

Об'єкт дослідження - технологічні процеси обробки складних корпусних деталей на фрезерних верстатах із ЧПК. Мета - підвищення точності контурного фрезерування на верстатах із ЧПК шляхом компенсації пружних деформації на основі корекції взаємного розташування різального інструменту та оброблюваної заготовки. Методи - фундаментальні засади технології машинобудування, теорії різання, методів математичної статистики, системного аналізу, моделювання на нейромережному базисі. Новизна - теоретично-прикладні засади забезпечення точності обробки деталей складного профілю. Результати - розроблено й впроваджено у виробництво інженерні рекомендації щодо використання способу керування пружними переміщеннями елементів технологічної системи верстата. Галузь - машинобудівні підприємства України.

Читати повністю

Файли

aref.doc

диссертация.doc

диссертация.doc

Схожі дисертації

0423U100054

Вишнепольський Євген Валерійович

Підвищення якості деталей газотурбінних двигунів, отриманих селективним лазерним спіканням, шляхом алмазного вигладжування

0422U100019

Костюк Сава Андрійович

Технологічне забезпечення підвищення працездатності пальців сферичних шарнірів статико-імпульсною обробкою

0521U102097

Шепеленко Ігор Віталійович

Наукові основи технології нанесення антифрикційних покриттів з використанням пластичного деформування

0521U101935

Кусий Ярослав Маркіянович

Науково-прикладні основи технологічного успадкування параметрів якості для забезпечення експлуатаційних характеристик виробів

0521U101885

Гурей Володимир Ігорович

Науково-технологічні основи підвищення якості та експлуатаційних характеристик деталей машин формуванням зміцнених нанокристалічних шарів