Сачанюк В. П. Фазові рівноваги і властивості фаз у квазіпотрійних системах, утворених халькогенідами елементів 3d- та Ib, IIb, IIIa, IVa,b підгруп

На основі результатів РФА, РСА, МСА побудовано ізотермічні перерізи діаграм стану 9 квазіпотрійних систем при 298 K, 11 подвійних систем (8 - при 870 К, 3 - при 670 К). Вперше побудовано діаграми стану 11 систем AICIIIX2-DIVX2 (6 - квазібінарні, 5 частково квазібінарні). Виявлено 35 тетраpних халькогенідів, з яких 27 є новими сполуками. Рентгенівським методом порошку вивчено кристалічну структуру 32 сполук, які кристалізуються у семи структурних типах, один з яких є новим (Cu2MnZrS4 і Cu2MnZrSe4 (ПГ P3m1, CT Cu2MnZrS4)). Визначено взаємозв'язки структур тетрарних сполук із бінарними аналогами чи простими речовинами. Визначено області гомогенності проміжних фаз досліджених систем та твердих розчинів на основі AICIIIX2. Уточнено кристалічну структуру 37 складів твердих розчинів. З'ясовано механізм утворення твердих розчинів. Вирощено 6 монокристалів тетрарних халькогенідів. Легуюча домішка (Mn) при вмісті наближеному до концентрації дефектів (N=2,0•10 20см-3) покращує оптичну якість монокристалів AgGaGe3Se8, понижуючи поглинання в області прозорості до К 16 см-1. На основі явища радіаційностимульованої дифузії, яке дозволяє зменшувати поглинання К 10 см-1, запропонована методика "радіаційного відпалу" для просвітлення AgGaGe3Se8. Сплави системи AgCd2-xMnxGaS4 є фоточутливими матеріалами у діапазоні 530-610 нм, що дозволяє застосовувати ці речовини, як фотоелементи. Сполуки Ag0,5Cr0,5Ti0,5S2, CuCrTiS4, Cu2CrZr3S8, Cu2MnZr3S8, Cu2FeZr3S8, Cu2CoZr3S8, Cu2NiZr3S8 можна використовувати у якості електродоактивних речовин графітопастових сенсорів. Поріг чутливості таких електродів при потенціометричному визначенні Сu2+ сягає 10-9 М, для Ag+ 5,0·10-6 М.