Кременецька Я. А. Вплив структури контактів на характеристики приладів НВЧ та пристроїв на їхній основі

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0408U003052

Здобувач

Спеціальність

  • 05.12.13 - Радіотехнічні пристрої та засоби телекомунікацій

19-06-2008

Спеціалізована вчена рада

Д 26.861.01

Державний університет телекомунікацій

Анотація

Об'єкт - залежність струму емісії від прикладеної напруги для різних діодних контактних структур та генерація електромагнітних коливань в діапазоні 100-1000 ГГц; мета - вирішення проблеми обмеження застосування напівпровідникових приладів у міліметровому та субміліметровому діапазонах та створення високостабільних НВЧ пристроїв на основі напівпровідникових структур для систем радіотехніки; методи - теоретичний аналіз та синтез, математичне моделювання; новизна - вперше представлені результати одержання генерації коливань у діапазоні 100-1000 ГГц у вакуумно-напівпровідникових структурах з можливістю електронного перестроювання частоти та нові шляхи створення генераторів шуму і генераторів-синтезаторів сітки частот; результати - розроблено методи інженерного розрахунку НВЧ пристроїв міліметрового та субміліметрового діапазону, що враховують особливості контактних структур; галузь - технічні науки

Файли

Схожі дисертації