Голенков О. Г. Фізичні властивості напівпровідників кадмій - ртуть - телур та фотодіодних структур на їх основі для багатоелементних фотоприймальних пристроїв ІЧ діапазону

Дослідження в дисертаційній роботі пов'язані з уточненням впливу товщини фоточутливого шару та механізмів поглинання ІЧ випромінювання напівпровідників кадмій-ртуть-телур (КРТ) на спектральні характеристики чутливості багатоелементних фотодіодних (ФД) структур ІЧ діапазону спектра, що є важливим для проектування багатоелементних фотоприймальних пристроїв (ФПП). Показано, що методи нелінійної оптики можуть бути застосовані для неруйнівного методу контролю часу життя нерівноважних носіїв заряду в монокристалічному КРТ. Встановлені основні закономірності оптимальної реєстрації ІЧ випромінювання ФПП на основі багатоелементних лінійчатих КРТ ФД з пристроями зчитування у фокальній площині для подальшого їх використання у приладах тепловізійної техніки та визначено вплив неоднорідностей фотоелектричних параметрів ФД на характеристики лінійчатих ФПП для ІЧ діапазону спектра. Визначено вплив операцій накопичення та перетворення інформації в схемах зчитування на електричні шуми та питому виявлювальну здатністьФПП, що має суттєве значення в прикладних задачах. Розроблені методики для такого аналізу та запропоновані способи врахування впливу неоднорідностей електричних та фотоелектричних характеристик фотодіодів, а також неоднорідностей параметрів транзисторів в схемі прямої інжекції.