Попович К. О. Електролюмінесцентні властивості випромінювачів на основі капсульованого люмінофору ZnS: Cu.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0408U004465

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

24-10-2008

Спеціалізована вчена рада

К 61.051.01

Анотація

Вивчені електролюмінесцентні властивості електролюмінес-центних випромінювачів (ЕЛВ) на основі капсульованого порошку сульфіду цинку, легованого міддю. Методом, який базується на методах лінійної комбінації атомних орбіталей і псевдопотенціалу розраховані такі параметри ЕЛВ: ширина забороненої зони, поріг фотоемісії, діелектрична проникність, енергія релаксації, повна енергія зв'язку та пружні сталі, енергетичні положення електронних станів у забороненій зоні, а також, енергетична діаграма гетеропереходу ZnS/Cu2-xS (x = 0; 0,2). Встановлено, що зменшення яскравості світіння ЕЛВ під час експлуатації протягом 2000 годин можна описати емпіричною формулою, яка включає щонайменше дві складові часу релаксації: t1 = 90 - 220 год., t2 = 3100 - 4100 год. Досліджено вплив на час релаксації t1 частоти, температури та форми імпульсу. Показано, що енергія активації релаксацій-ного процесу t1 складає 0,24 еВ. Структурні зміни в електро-люмінофорах ZnS: Cu пов'язуються з виходом домішки Cu з вузлів у міжвузля, дифузією Cu по міжвузлях, захопленням міжвузельних атомів вакансіями, дифузією вакансій, а також реакціями на межах центрів розпаду і коагуляції.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах