Булатецька Л. В. Електричні і оптичні властивості монокристалів CdS, AgCd2GaS4 та A2IHgCІVD4VI (АI - Cu, Ag; СIV - Ge, Sn; DVІ - S, Se) з дефектами структури.
English versionДисертація на здобуття ступеня кандидата наук
Державний реєстраційний номер
0408U004848
Здобувач
Спеціальність
- 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків
29-10-2008
Спеціалізована вчена рада
К.32.051.01
Анотація
Файли
Dis-dis01.doc
Dis-dis02.doc
Dis-dis03.doc
Dis-dis04.doc
Dis-dis05.doc
Dis-dis06.doc
Dis-dis07.doc
Dis-dis08.doc
Dis-dis09.doc
Dis-dis10.doc
Dis-dis11.doc
aref-aref.doc
Схожі дисертації
0523U100013
Луньов Сергій Валентинович
Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі
0522U100117
Птащенко Федір Олександрович
Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.
0421U104048
Микитюк Тарас Іванович
Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe
0521U102010
Борковська Людмила Володимирівна
Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5
0521U101814
Коротєєв Вадим Вячеславович
Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах