Булатецька Л. В. Електричні і оптичні властивості монокристалів CdS, AgCd2GaS4 та A2IHgCІVD4VI (АI - Cu, Ag; СIV - Ge, Sn; DVІ - S, Se) з дефектами структури.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0408U004848

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

29-10-2008

Спеціалізована вчена рада

К.32.051.01

Анотація

Дисертація присвячена дослідженню впливу дефектів технологічного походження на електричні та оптичні властивості монокристалів AgCd2GaS4 та A2IHgCІVD4VI (АI - Cu, Ag; СIV - Ge, Sn; DVІ - S, Se), а також дослідженню впливу структурних пошкоджень радіаційного характеру на параметри спеціально нелегованих і легованих Cu монокристалів CdS. Монокристали AgCd2GaS4 та A2IHgCІVD4VI (АI - Cu, Ag; СIV - Ge, Sn; DVІ - S, Se) внаслідок дефектності кристалічної ґратки проявляють властивості характерні для невпорядкованих напівпровідників. В роботі запропоновано фізичну модель електронних станів у тетрарних халькогенідних напівпровідниках A2IBIICІVD4VI.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах