ГУЙВАН Г. М. Анізотропія діелектричних властивостей кристалів KH2PO4, KD2PO4 і NаКС4H4O6*4H2O при дії зовнішнього тиску та електричного поля

У дисертаційній роботі проведено комплексні дослідження впливу різних зовнішніх чинників (температури, тиску і електричного поля вздовж різних кристалографічних напрямків) на анізотропію діелектричних параметрів кристалів NаКС4H4O6*4H2O, KH2PO4 та KD2PO4. Встановлено закономірності температурної трансформації перерізів вказівної поверхні тензора діелектричної проникності кристалів при фазових переходах із параелектричної у сегнетоелектричну фазу. У рамках феноменологічної теорії з врахуванням близькості фазових переходів до подвійної критичної точки проведено аналіз експериментальних результатів по впливу електричного поля та тиску на діелектричну проникність сегнетової солі NаКС4H4O6*4H2O. Визначено коефіцієнти розкладу термодинамічного потенціалу по степеням параметра порядку і їх баричну поведінку. Показано, що збільшення гідростатичного тиску віддаляє фазові переходи в сегнетовій солі від подвійної критичної точки. Побудовано фазові sigma_i,T- та E ,Т -діаграми кристалів NаКС4H4O6*4H2O. Встановлено, що механічні напруження sigma_1 та sigma_4 приводять до розширення температурної області існування сегнетоелектричної фази, а sigma_2 та sigma_3 - до її звуження.