Чорнодольський Я. М. Остовно-валентна люмінесценція та параметри енергетичної структури широкощілинних галоїдних кристалів

Зроблено розрахунок електронної енергетичної структури кристалів CsCl, CsBr, KCaF3, RbCaF3, CsCaF3 та CsCaCl3 із використанням методу змішаного базису та методу псевдопотенціала. Визначено параметри енергетичної структури остовно-валентної люмінесценції та показано узгодженість парціальної густини s- і d- станів валентної зони з формою спектрів остовно-валентної люмінесценції для цих кристалів. Проаналізовано точність даних методів для розрахунку енергетичної структури широкощілинних діелектричних кристалів. Проведено дослідження власної та домішкової остовно-валентної люмінесценції кристалів AX та ABX3 (A = K, Rb, Cs; B = Ca; X = F, Cl, Br, I). Виявлено подібність спектрів власної остовно-валентної люмінесценції кристалів CsCaCl3 зі спектрами домішкової остовно-валентної люмінесценції кристалів CsCaCl3-Rb та CsCaCl3-K. Підтверджено міграцію остовних дірок від 3pK2+ до 4pRb+ для кристалів RbCaF3-K. Продемонстровано високу чутливість люмінесцентних методик для детектування мікрофаз у системі CsI-CsCl.