Тузяк М. Р. Оптико-спектральні характеристики одновісно затиснутих кристалів сульфату амонію

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0409U001921

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

24-04-2009

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

Досліджено вплив одновісних тисків на ІЧ-спектри відбивання кристалів. За допомогою дисперсійних співвідношень Крамерса-Кроніга отримано дисперсійні й баричні залежності оптичних постійних, а також розраховано параметри, що характеризують ІЧ дисперсію: частоти поздовжніх і поперечних коливань, константу загасання і силу осцилятора. Виявлене баричне зростання показників заломлення кристалів зумовлене зростанням електронної поляризовності, рефракції зв'язків та зміщенням спектрів поглинання в довгохвильову ділянку спектру. Виявлено, що одновісні тиски зміщують точку сегнетоелектричного ФП в різні температурні ділянки, що спричинено впливом одновісного тиску на структуру кристала, а виявлені у цьому випадку аномалії оптичних властивостей, зумовлені виникненням спонтанних деформації й поляризації.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах