Павлова Н. Ю. Нелінійна абсорбція світла і структура енергетичних станів монокристалів a-ZnP2.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0409U002936

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

17-06-2009

Спеціалізована вчена рада

К32.051.01

Анотація

Дисертацію присвячено експериментальному дослідженню власного й резонансного двофотонного поглинання, структури енергетичних станів, глибоких локальних центрів і комплексів та генераційно-рекомбінаційних процесів у напівпровідникових кристалах a-ZnP2 тетрагональної модифікації. Досліджувались нелеговані та леговані Ge, Se і In кристали a-ZnP2. Вперше детально досліджено резонансне двофотонне поглинання в a-ZnP2. В a-ZnP2 експериментально виявлено 12 критичних точок першого роду в зоні провідності та у валентній зоні. У a-ZnP2 виявлено 7, а в a-ZnP2:Ge - 8 типів локальних центрів; встановлено глибини залягання відповідних їм енергетичних рівнів у забороненій зоні. Оцінено перерізи домішкового поглинання випромінювання неодимового лазера у кристалах a-ZnP2. Визначені дефектні центри, яким належать реальні проміжні стани резонансного двофотонного поглинання та оцінено час релаксації електронів на цих центрах. Проведено дослідження впливу підсвічування на індуковане поглинання світла в a-ZnP2. Рекурсійнім методом у наближенні сильного зв’язку розраховано парціальні густини електронних станів ідеального a-ZnP2 та такого, що містить власні дефекти.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах