Дьогтєв А. В. Вплив структурних особливостей фотонних кристалів на основі GaAs на оптичні спектральні характеристики пасивних оптичних елементів на їх основі

Об'єкт - двовимірні фотонні кристали, перехідники та хвилеводи на основі фотонних кристалів. Мета - рішення наукової задачі, яка полягає у встановленні фізичних закономірностей впливу структурних особливостей фотонних кристалів на основі GaAs на оптичні спектральні характеристики оптичних елементів на їх основі. Методи: чисельні методи рішення рівнянь Максвелла; електронно-променева літографія. Наукова новизна: розраховано ефективний показник заломлення фотонного кристалу; визначені найбільш ефективні фотонний кристал, перехідник та хвилевод на основі фотонних кристалів; проаналізовані хвилеводи на основі Кагоме та графітного фотонних кристалів, та хвилеводи з уширеною серцевиною. Теоретичне значення: модель ефективного показника заломлення фотонного кристалу дозволяє спрощувати та прискорювати теоретичні розрахунки на ЕОМ; систематизовано інформацію про мапи фотонних заборонених зон решіток фотонних кристалів; показані шляхи покращення характеристик існуючих хвилеводів на основі фотонних кристалів. Практичне значення: виготовлені експериментальні зразки низки фотонних кристалів на основі GaAs; матеріали дослідження можуть бути використані для розвитку теоретичних уявлень про фотонні кристали та оптичні процеси в них, а також при проектуванні та виготовленні елементів на основі фотонних кристалів. Галузь використання: оптика, лазерна фізика.