Балабан А. П. Релаксаційні процеси в сенсорах зображень на основі неідеального гетеропереходу CdS-Сu2S

Дисертація присвячена визначенню механізму та створенню моделі релаксаційних процесів в гетеропереході CdS-Cu2S, який призначений для розробки сенсорів зображень. Виділено дві фази релаксації нерівноважного заряду в ОПЗ: фаза швидкої релаксації і фаза повільної релаксації. Показано, що перша реалізується за рахунок викиду заряду шляхом тунелювання на поверхневі стани гетеромежі; друга - за рахунок термічного викиду локалізованого заряду. Доведено, що ефект модуляції струму короткого замикання за допомогою короткохвильового підсвічування реалізується через захват дірок одного типу на глибокі центри у широкозонному CdS. Встановлено, що насичення сигналу гетеропереходу CdS-Cu2S при збільшенні інтенсивності короткохвильового підсвічування відбувається внаслідок значного перевищення дрейфової швидкості носіїв, які перетинають гетеромежу, над швидкістю поверхневої рекомбінації. Отримано вираз для характеристичної кривої сенсора на основі неідеального гетероперехода CdS-Cu2S, який добре погоджується з експериментальними даними і може бути використаний при дослідженні сенситометричних характеристик подібних приладів. Отримані результати можуть бути використані при описанні релаксації сигналу досліджуваного сенсора та при розгляді процесів і явищ у типових неідеальних гетеропереходах. Матеріали роботи також можуть бути використані на підприємствах приладобудівної промисловості при створенні ефективних сенсорів зображення на основі неідеальних гетеропереходів.