Нейчева С. В. Перетворення енергії в широкозонних кристалах LiCaAlF6 і LiSrAlF6

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0409U005726

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

18-11-2009

Спеціалізована вчена рада

Д 64.169.01

Інститут монокристалів НАН України

Анотація

У роботі проведено комплексне спектроскопічне дослідження абсорбційних, люмінесцентних, сцинтиляційних і термолюмінесцентних властивостей чистих і активованих рідкісноземельними іонами кристалів LіCaAlF6 і LіSrAlF6 у широкому діапазоні енергій збудження, часів реєстрації й температури. Вивчено вплив складу сполук, структури дефектів і валентності активатора на процеси передачі та запасання енергії в цих кристалах. Вперше визначено основні характеристики чотирьохкомпонентних діелектриків LіCaAlF6 і LіSrAlF6. Встановлено основні енергетичні параметри кристалів LіCaAlF6 і LіSrAlF6: ширину забороненої зони, енергії поглинання й люмінесценції автолокализованных екситонів. Уперше оцінені й побудовані схеми енергетичних зон кристалів. Оцінено положення енергетичних рівнів РЗ іонів у забороненій зоні. Запропоновано моделі центрів світіння й центрів захоплення. Встановлено загальні закономірності протікання процесів випромінювальної й безвипромінювальної релаксації в активованих іонами церію та європію кристалах при іонізуючому збужденні. Обґрунтовано основні механізми переносу енергії та радіаційного дефектоутворення в кристалах, що містять домішкові іони Eu2+ і Ce3+. Показано, що низький сцинтилляционный вихід кристалів LіCaAlF6:Ce і LіSrAlF6:Ce обумовлений значними міграційними втратами енергії, а ефективність запасання енергії визначається радіаційно стимульорованими окислювально-відновними реакціями за участю РЗ3+ іонів, а також наявністю й топологією дефектів, що їх компенсують. Активування ізовалентними Eu2+ іонами дозволяє реалізувати ефективну передачу енергії та зберегти радіаційну стійкість кристалів.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах