Воронкін Є. Ф. Оптимізація умов отримання напівпровідникових кристалів CdTe, Cd(Zn)Te, ZnSe(Te) та детекторів на їх основі

Дисертація присвячена оптимізації технологічних процесів отримання твердотільних детекторів на основі кристалів CdTe, Cd(Zn)Te, ZnSe. В роботі розроблено методику й апаратуру, що дозволяє отримувати особливо чисті матеріали, а саме цинк, кадмій і телур рівня чистоти 6N в контейнері, що обертається. Оптимізовано умови отримання напівпровідників CdTe, Cd(Zn)Te та детекторів на їх основі, що дозволило отримати енергетичне розділення 4,5 % при реєстрації гама-квантів з енергією 59,54 кеВ (241Am). Розроблено оригінальну конструкцію й методику виготовлення детекторів УФ-випромінення на основі ZnSe з поліпшеною в 2 рази фоточутливістю відносно відомих аналогів. Оптимізовано й впроваджено в дослідне виробництво Інституту сцинтиляційних матеріалів технологічний процес виготовлення сцинтиляторів на основі ZnSe, який було сертифіковано в системі управління якістю. Розроблено технологічний процес виготовлення методом групової різки сцинтиляційних 1D- і 2D-матриць на основі кристалів ZnSe для позиційно-чутливих детекторів.