Мамонтова І. Б. Фотоелектричні та оптичні явища в фотодетекторах і сонячних елементах на основі напівпровідників А3В5 з текстурованою межею поділу.

Дисертація присвячена дослідженню фотоелектричних і оптичних явищ у фотоприймачах і сонячних елементах (СЕ) типу метал-напівпровідник на основі напівпровідників А3В5 з текстурованою активною межею поділу. Теоретично розраховано фотострум поверхнево-бар'єрної структури (ПБС) та пропускання світла в СЕ з мікрорельєфними межами поділу. Це дозволило визначити рекомбінаційні параметри текстурованих меж поділу шляхом порівняння виміряних спектрів зовнішньої квантової ефективності з розрахованими спектрами внутрішньої квантової ефективності. Досліджено властивості ПБС типу Au(ITO)-GaAs, Au-InP, і гетероперехід GaAlAs-GaAs з текстурованою межею поділу двох типів: квазігратки та дендрити, отриманих способом хімічного анізотропного травлення, в тім числі з додатковою пасивацією. Запропоновано флуктуаційну модель з розподілом висот бар'єрів за законом Гаусса для моделювання фотоелектричних та темнових ВАХ ПБС з текстурованою межею поділу. Виявлено зміну сталої Річардсона та аномально великі значення температурного коефіцієнта висоти бар'єра, а також зменшення напруги розімкненого кола зі збільшенням ширини розподілу . Показано, що УФ-фотодетектори на основі ПБС Au-GaAs і Au-InP з текстурованою межею поділу за спектральною чутливістю в області =0,25 0,4 мкм (S =0,33 мкм=0,23 А/Вт (Au-GaAs), S =0,35 мкм=0,19 А/Вт (Au-InP)) не поступаються світовим зразкам за рахунок вибору морфології мікрорельєфу та технології виготовлення. Досліджено вплив опромінення -квантами 60Со дозами 103 2 105 Гр на характеристики ПБС з мікрорельєфом типу дендритів та квазігратки. Показано, що перспективнішими для космічного використання є СЕ з мікрорельєфом типу квазігратки.