Мартиненко Є. В. Первинний розмін енергії іонізуючої частинки у трекових ділянках органічних сцинтиляційних кристалічних матеріалів

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0410U001272

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

16-12-2009

Спеціалізована вчена рада

Д 64.169.01

Інститут монокристалів НАН України

Анотація

У дисертаційній роботі розглянуті процеси первинного розміну енергії у треках іонізуючих випромінювань в органічних молекулярних кристалічних сцинтиляційних матеріалах. Запропоновано напівемпіричний опис процесу первинного розміну енергії у трекових ділянках органічних кристалічних сцинтиляторів, що враховує вплив ефекту електронної поляризації зарядовими станами молекул у треку та розглядає в наближенні "однокрокової" моделі процес первинного гасіння як стрибкоподібний. Показано, що "специфічне" гасіння можна розділити на первинне і вторинне гасіння, що відбуваються у треку, але протікають по-різному. Первинне гасіння визначається рекомбінацією поляронних пар, що виникли одразу після розпаду плазмонів, та відбувається швидше, ніж розширення поперечного перерізу треку на відстань, порівняну із середньою міжмолекулярною відстанню, і швидше, ніж формування треку по всій його довжині. Вторинне гасіння відбувається в остиглому треку, що розширюється. Доведено, що первинне гасіння у треку іонізуючої частинки для органічних сцинтиляторів має концентраційно - контрольований характер. Показано, що швидка рекомбінація поляронних пар, що виникли одразу після розпаду плазмонів, яка відбувається одночасно з формуванням відповідної ділянки треку, сприяє вирівнюванню радіального розподілу концентрації пар поляронів в ньому за термін часу, коротший від формування треку по всій його довжині.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах