Буравцева Л. М. Фосфоресценція кристалічного та склоподібного ортобромбензофенону

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0410U002405

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.07 - Фізика твердого тіла

27-04-2010

Спеціалізована вчена рада

Д64.175.03

Анотація

Проведено квантово-хімічний розрахунок вільної молекули ортобромбензофенону. Уперше визначена кристалічна структура ортобромбензофенону. Виміряна температурна залежність інтегральних та час-розділених спектрів фосфоресценції кристала ортобромбензофенону. В області температур від 1,6 К до 130 К спостерігається дві серії мономірних смуг світіння з різних конформаційних станів збудженої молекули. В інтервалі температур 95 - 300 К спостерігається триплетне ексимерне світіння. Виміряні інтегральні та час-розділені спектри фосфоресценції склоподібного ортобромбензофенону в залежності від температури. На відміну від кристала триплетний ексимер утвориться в склі навіть при найнижчій температурі. Мономерне світіння в склі містить тільки одну серію коливальних смуг C=O групи, що відповідає переходу із глобального енергетичного мінімуму.

Файли

Схожі дисертації

0424U000081

Чурілов Ігор Георгійович

Особливості термічного впливу на морфологічні зміни і механізм утворення рідкої фази у конденсованих однокомпонентних плівках (Pb, Sn, In, Bi) та у бінарних шаруватих плівках (Bi/Sn, Pb/Sn, Pb/In)

0424U000065

Мазур Дмитро Вікторович

Особливостi рентґенiвських спектрiв поглинання та магнiтного циркулярного дихроїзму оксиґенвмiсних сполук на основi металiв 4-го перiоду

0523U100214

Олійник Сергій Володимирович

Фізичні основи формування електричних та фотоелектричних властивостей кристалів AIIBVI і електричних властивостей багатокомпонентних покриттів

0522U100045

Богданов Євген Іванович

Ефекти азимутальної асиметрії розсіяння випромінення у кристалах та новітні можливості дифузнодинамічної дифрактометрії

0522U100002

Владимирський Ігор Анатолійович

Термодифузійні структурно-фазові зміни в гетерогенних системах на основі магнітних і немагнітних наношарів