Іванов І. І. Фотоелектричні процеси в гетеро структурах на основі нанодисперсних Si і TiO2

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків. - Київський національний університет імені Тараса Шевченка, Київ, 2010. Дисертація присвячена дослідженню впливу параметрів тильних рефлекторів сформованих на основі SiОх/SiNx шарів, шарів ПК на ефективність об'ємного фотоперетворювача на основі мультикристалічної кремнієвої текстурованої підкладинки, встановлення механізмів струмопроходження в дисперсних фотоперетворювачах на основі наночастинок TiO2, знаходження оптимальних параметрів цих структур. Створено об'ємний мультикристалічний кремнієвий текстурований СЕ з тильним БД з SiОх/SiNx бі-шарів сформованих плазмохімічним методом. Показано, що багатошарова структура - SiОх/SiNx БД забезпечує паcивацію тильної поверхні СЕ і збільшення середнього часу життя електронів. Для СЕ з тильним БД струм отримано струм короткого замикання на 2.1% і ККД на 0.17% більше чим для СЕ без БД. Створені БД з ПК на основі кремнієвої монокристалічної і мультикристалічної підкладинки p-типу з Rmax=92% і 62% відповідно. Реалізовано метод керування спектральним відгуком БД з ПК шляхом введення в пори БД речовин з заданим показником заломлення. Запропонована методика розрахунку спектрального відгуку БД, сформованих на мультикристалічних підкладинках. Розрахований вплив дисперсії параметрів шарів рефлектора на спектральний відгук БД. Показано, що поруватий кремній може бути використаний як активний матеріал для створення фоточутливих структур типу бар'єру Шоткі з КЯ. Встановлено вплив параметрів електроліту, ступеню пакування TiO2 наночастинок, інтенсивності освітлення на струмопроходження через поруватий TiO2 електрод дисперсного сонячного елемента сформований методом електрофорезного нанесення. Показано, що в наночастинках TiO2 спостерігаються 2 класи центрів з енергіями активації ~220 та ~300 меВ, які обумовлені перезарядкою відповідно поверхневих та об'ємних центрів. Виявлено ефект негативної диференціальної провідності у гетеропереході n+-SnO2:F/нанопоруватий-TiO2/InOHS/Au при кімнатній температурі. Запропоновано модель процесів переносу у контакті.