Насєка Ю. М. Вплив активних зовнішніх факторів на особливості випромінювальної рекомбінації кристалів CdZnTe.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0410U005584

Облікова картка дисертації

0410U005584.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

24-09-2010

Спеціалізована вчена рада

Д 26.199.02

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України

Анотація

Дисертація присвячена дослідженню змін в спектрах низькотемпературної (Т = 5 К) фотолюмінесценції кристалів потрійної інтерметалічної сполуки Cd1-xZnxTe (x = 0.05, 0.1), викликаних впливом активних зовнішніх факторів: термообробка, лазерне опромінення та опромінення різними дозами радіації. Зокрема, у дисертації представлено дані з вивчення фотолюмінесценції кристалічних детекторів іонізуючого випромінювання на основі Cd1-xZnxTe (x = 0.1), відпалених на повітрі при температурах Т = 155 та 205С.Установлено, що відпали при Т = 155С суттєво не впливають на характер люмінесцентних спектрів як в приконтактній області, так і у віддаленій від контактів області окрім незначного зростання інтенсивності смуги глибоких дефектів.

Читати повністю

Файли

Disert.doc

aref.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах