Шеремет В. М. Омічні і бар'єрні контакти на основі диборидів титану і цирконію до нітридгалієвих мікрохвильових діодів.

Дисертація присвячена дослідженню процесів у багатошарових омічних і бар'єрних контактах до n-GaN, з використанням боридів титану та цирконію як дифузійних бар'єрів, що відбуваються під дією активних обробок. Встановлено, що омічні контакти Ti-Al-TiBx-Au та бар'єрні Ti(Zr)Bx-Au до n-GaN зберігають структуру і електрофізичні параметри до температури відпалу 900°С дози гама-опромінення 10^6 Гр. Під дією гама-опромінення 60Со до дози 10^4 Гр спостерігається структурно-домішкове впорядкування на межі поділу фаз контактної металізації, внаслідок чого зменшується питомий контактний опір в омічних контактах і надлишкові струми витоку в бар'єрних. Виявлено, що в діапазоні температур 270-380 К для контакту Au-TiBx-Al-Ti n-GaN характерний металічний механізм струмопереносу по шунтах, що під дією НВЧ обробки переходить до польового. Показано, що для бар'єрного контакту Au-TiBx-n-GaN характерним є тунельний механізм струмопереносу по дислокаційній лінії.