Когутич А. А. Непружне розсіювання світла та акустичні властивості сегнетоелектричних кристалів Sn2P2(SexS1-x)6

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0410U005926

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

29-10-2010

Спеціалізована вчена рада

Д 61.051.01

ДВНЗ "Ужгородський національний університет"

Анотація

Робота присвячена дослідженню непружного розсіювання світла та вивченню анізотропії пружних властивос-тей, ангармонізму динаміки ґратки та аномалій акустичних властивостей кристалів Sn2P2S6 i Sn2P2(Se0.28S0.72)6 в околі фазових переходів, аналізу впливу гідростатичного тиску на температурні аномалії швидкості ультразвуку. Встановлено, що для пояснення спостережуваних температурних і частотних залежностей затухання звуку необхідно враховувати декілька часів релаксації і модові параметри Грюнайзена. Виявлено від'ємний вклад оптичних мод в параметр Грюнайзена. Спостерігалось значне зменшення швидкості звуку для повздовжніх та поперечних акустичних фононів в околі точки Ліфшиця. Також виявлено трикритичну поведінку біля 0.4 ГПа для кристалу Sn2P2S6

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах