Генкін О. М. Еталонні джерела оптичного випромінювання на основі явища електричного пробою у p-n-структурах на карбіді кремнію

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0410U006049

Облікова картка дисертації

0410U006049.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 05.27.01 - Твердотільна електроніка

09-11-2010

Спеціалізована вчена рада

Д26.002.08

Анотація

В роботі з'ясовані технологічні, експлуатаційні, та конструкційні умови, за яких на основі сплавної технології виготовлення p-n-переходів, на промислових кристалах карбіду кремнію можливо отримати світлодіоди, що працюють у режимі електричного пробою, які можливо використовувати у якості еталонів потужності та спектрального складу випромінювання на спектральний діапазон 250-700 нм, а також у якості імпульсних випромінювачів з субнаносекундною швидкодією. розроблено конструкції цих приладів, лабораторна технологія їх виготовлення, елементи метрологічного забезпечення.

Читати повністю

Файли

Автореферат Генкина.doc

Диссертация Генкина.doc

Схожі дисертації

0424U000066

Гайдучок Володимир Григорович

Формування тонкоплівкових структур на полярних гранях кристалів LiNbO3

0421U103991

Галочкін Олександр Вікторович

Розробка радіаційно-стійких фотоструктур на основі напівпровідників А2В6 та А23В36

0421U103665

Воронько Андрій Олександрович

Гетероструктури на основі твердих розчинів А3В5 для волоконно-оптичних систем передачі інформації.

0421U103580

Королевич Любомир Миколайович

Обґрунтування вибору діелектрика та дослідження плівок діоксиду церію для МДН-структур

0421U103444

Пристай Тарас Віталійович

Модифікація властивостей холестеричних рідких кристалів нанодомішками для використання в оптичних сенсорах