Галочкін О. В. Розробка радіаційно-стійких фотоструктур на основі напівпровідників А2В6 та А23В36

Дисертаційна робота присвячена розробці радіаційно-стійких фотоструктур на основі напівпровідників CdTe, Cd1-xMnxTe (х=0,2), In2Hg3Te6 та вдосконаленню методів вирощування кристалів цих напівпровідників. Одержані фотодіоди Шотткі на In2Hg3Te6 з металевою плівкою Cr характеризуються чутливістю у спектральному діапазоні 0,61,7 мкм, мають величину струмової монохроматичної чутливості 0,43 А/Вт (на довжині хвилі 1,55 мкм). Темновий струм таких ФДШ знаходиться в діапазоні 1÷4 мкА при зворотному зміщенні 1 В, а висота потенціального бар’єру 0, дорівнює 0,41 еВ. Виготовлені ФДШ витримують γ-дози опромінення до 2108 бер. Поверхнево-бар’єрні фотоструктури на CdTe та Cd1-xMnxTe (х=0,2) характеризуються фоточутливістю в області спектру 0,5÷0,91 мкм, висота потенціального бар’єру 0 для структур на CdTe дорівнює 0,9 еВ, а протікання струму характеризується двома механізмами переносу заряду – генераційно-рекомбінаційним та інжекційним, їх коефіцієнт випрямлення складає k104 (для CdTe). Спектральна залежність фотовідгуку структур на основі CdTe та Cd1 xMnxTe має додаткові максимуми (Е=1,5 еВ – для CdTe; E1=2,01 еВ, E2=2,31 еВ – для Cd1 xMnxTe), які зміщені в короткохвильову область і не пов’язані із власними переходами. Одержані структури можуть бути успішно використані в якості детекторів, що чутливі у видимій на ближній інфра-червоній ділянках спектру та працюють в умовах сильного іонізуючого випромінювання на заміну Si-фотодетекторів.