Петрусь Р. Ю. Створення та фотоелектричні властивості структур на основі багатокомпонентних халькогенідів.

Удосконалено технології вирощування методами спрямованої кристалізації та хімічних транспортних реакцій монокристалів InSe, In2Se3 та твердих розчинів Cd1-хMnхTe (х=0,00-0,70). Визначено елементний склад, досліджено структуру та фізичні властивості монокристалів.Запропоновано нову технологію формування енергетичного бар'єру методом термообробки вирощених кристалів, і вперше створено випрямляючі фоточутливі гетероструктури n-Ox/n-InSe, Ox/Cd1-хMnхTe (х=0,00-0,70). Проаналізовано стаціонарні вольт-амперні характеристики і спектри відносної квантової ефективності вперше одержаних гетероструктур у природному, а для n-Ox/n-InSe і в лінійно-поляризованому випромінюванні. Показано, що в створених гетероструктурах спостерігається фоточутливість у широкій спектральній смузі, а за скісного падіння лінійно-поляризованого випромінювання виникає фотоплеохроїзм.Уперше створено бар'єри Шоткі In/n-In2Se3, Al/n-In2Se3 та In/Cd1-хMnхTe, фоточутливі в широкому інтервалі енергій падаючих фотонів (1-3,8 еВ, 300 К). Аналіз спектрів фоточутливості створених структур дозволив визначити характер міжзонних оптичних переходів, висоту енергетичних барєрів і енергії міжзонних оптичних переходів кристалів In2Se3, Cd1-хMnхTe (х=0,00-0,70).Запропоновано і вперше отримано методом електричного розряду точкові структури на основі монокристалів InSe та твердих розчинів Cd1-хMnхTe (х=0,00-0,70). Досліджено стаціонарні вольт-амперні характеристики і фоточутливість структур ТК/n-InSe, ТК/Cd1-хMnхTe (х=0,00-0,70). Виявлено широкосмуговий характер і екситонна особливість у спектрах фоточутливості структур ТК/n-InSe.Зроблено висновок про можливість застосування нових структур як широкосмугових фотоперетворювачів оптичного випромінювання та в розробленні приладів магнітної фотоелектроніки на основі твердих розчинів Cd1-хMnхTe.