Коваль В. М. Тонкі плівки нанокристалічного кремнію, леговані європієм та ітрієм, для оптоелектроніки

Робота присвячена розробці технології отримання тонких плівок нанокристалічного кремнію, легованого європієм та ітрієм, а також гетеропереходів на їх основі для оптоелектроніки. Було проведено моделювання впливу нанокристалітів та домішок рідкоземельних металів на зонну будову та електропровідність матеріалу, а також показано їх вплив на фоточутливі характеристики фотоприймачів, що забезпечило теоретичне підгрунття у пошуку оптимальних технологічних режимів. За допомогою структурних та хімічних методів аналізу матеріалу встановлено зв'язок наноструктури та хімічного складу плівок з технологічними параметрами синтезу. В роботі було встановлено, що електропровідність та фоточутливість нанокристалічних кремнієвих плівок зростає при збільшенні степені кристалічності матеріалу, в той час як зростання УФ-чутливості спостерігається при зменшенні розмірів нанокристалітів. Встановлено зростання електропровідності, фото- та УФ-чутливості кремнієвої плівки при введенні до її складу домішків рідкоземельних металів. Також в роботі досліджувався вплив домішок РЗМ на величину фото-ЕРС гетеропереходів на основі плівок нанокристалічного кремнію. Було запропоновано технологічні режими, в яких фото- та УФ-чутливість фоторезисторів і фотодіодів, а також ефективність та стабільність фотоелектричних перетворювачів досягає максимальних значень.