Сухов Р. В. Розмірні ефекти при плавленні-кристалізації в одно- і двошарових плівкових системах

Об'єкт дослідження:конденсовані плівки чистих металів (Sn, Bi) та двошарові плівкові системи (Sn-Bi,Ge-Au) з масовими товщинами 1-60 нм на аморфних вуглецевих підкладках. Мета: встановлення фізичних закономірностей утворення рідкої фази в бінарних шаруватих плівкових системах евтектичного типу Ge-Au та закономірностей зміни морфологічної структури конденсованих плівок чистих металів (Sn, Bi) і бінарних шаруватих плівкових систем (Sn-Bi, Ge-Au) унаслідок плавлення-кристалізації. Результати, новизна: Вперше виявлена критична товщина контактного плавлення в бінарних шаруватих плівкових системах евтектичного типу, тобто товщина плівки одного з компонентів, що перебуває в контакті з товстою плівкою другого компонента, нижче за яку формування рідкої фази не відбувається. Вперше експериментально визначена розмірна залежність температури плавлення евтектики Ge-Au та побудована діаграма, яка описує утворення, температурну та розмірну стійкість рідкої фази в плівкових системах Ge-Au евтектичного складу. Одержано залежності морфологічних характеристик (коефіцієнта заповнення підкладки, розподіла острівців за розмірами, кількості острівців на одиницю поверхні) плівкових систем, сформованих шляхом плавлення на аморфних вуглецевих підкладках вакуумних конденсатів Sn, Bi та Sn-Bi евтектичного складу, від їхньої масової товщини.