Лисюк І. О. Температурні, опромінювальні і акустичні ефекти у вузькощілинному кадмій-ртуть-телурі та фотодіодах на його основі

У дисертації викладено результати дослідження впливу температури, опромінення, опромінення швидкими нейтронами, ультразвукового навантаження на ВАХ фотодіодів, виготовлених на епітасійних шарах CdXHg1-XTe, і механізмів поглинання ультразвуку в CdXHg1 XTe. З вимірювань ВАХ фотодіодів CdXHg1 XTe встановлено рекомбінаційні центри Еt=Е +0,075 еВ (х=0,22) і Еt=Е +0,16 еВ (х=0,28). На основі ВАХ за різних температур до й після низькотемпературного впливу виявлено новий механізм переносу заряду - тунелювання вздовж дислокацій, що виникає внаслідок зсуву p-n переходу в бік інтерфейсної границі з великою густиною дислокацій. З досліджень впливу опромінення (1 МеВ) з дозами до значень 1,6107 рад на фотодіоди КРТ встановлено, що після опромінення електричні властивості визначаються первинними дефектами. Зроблено висновок, що вплив опромінення швидкими нейтронами (1 МеВ) на фотодіоди аналогічний впливу на монокристали, отримано величину швидкості введення донорних центрів n/ Ф=0,6 0,8 см-1 за дози Ф=5 1014 см-2. Виявлено акустичну інжекцію носіїв заряду в фотодіодах КРТ і встановлено, що вона якісно описується теорією акустичної інжекції в п'єзонапівпровідниковому p-n переході. Отримано значення пружних модулів для С11=5.35 1010 Па, С12=3.08 1010 Па, С44=2.01 1010 Па для р типу Cd0.2Hg0.8Te. Виявлено й знайдено теоретичне пояснення температурних максимумів коефіцієнта поглинання ультразвуку в КРТ в діапазонах температур 200-300 К і частот 10-55 МГц. Ключові слова: CdXHg1-XTe, фотодіодні масиви, ультразвук, - й нейтронне опромінення, низькотемпературний відпал.