Кевшин А. Г. Вплив домішок (HgX, Ga2X3, Er2X3, X=S, Se) на структуру та оптичні властивості халькогенідних стекол на базі GeX2.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0411U004025

Облікова картка дисертації

0411U004025.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

16-06-2011

Спеціалізована вчена рада

Д 32.051.01

Анотація

Дисертація присвячена дослідженню структури та оптичних властивостей деяких халькогенідних стекол на базі GeX2 (X=S, Se). Показано, що основними структурними елементами досліджуваних склоподібних сплавів є тетраедри GeX4/2 (X=S, Se), а край смуги власного поглинання добре описується правилом Урбаха. Встановлено, що введення в матрицю стекол іонів ербію призводить до появи фотолюмінесценції, пов'язаної з електронними переходами у частковозаповненій внутрішній 4f-оболонці іона Er3+.

Читати повністю

Файли

aref.doc

dis.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах