Попенака А. М. Електро- і фотофізичні властивості плівок молекулярних напівпровідникових композитів з координованими іонами металів

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0411U004201

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

20-06-2011

Спеціалізована вчена рада

Д 26.001.31

Київський національний університет імені Тараса Шевченка

Анотація

В роботі досліджено електро- і фотофізичні властивості плівок напівпровідникових молекулярних композитів на основі полімерів і полікомплексів азобензолу і гетерополіядерних Cu(II)Mn(II) комплексів з координованими іонами металів. Експериментально показано, що досліджувані полімерні композити мають напівпровідниковий тип провідності, а композити з гетерополіядерними комплексами мають як донорний, так і акцапторний тип фотопровідності. Наявність координованих іонів металу не спричиняє суттєвого впливу на електро- і фотопровідність досліджуваних полімерних композитів. Вперше виявлено вплив зовнішнього електричного поля на оптичні властивості полікомплексів на основі азобензолу і композитів з гетерополіядерними комплексами. Встановлено, що в першому випадку наявність іонів кобальту, хімічно зв'язаних з основним полімерним ланцюгом, може призводити до зміни знаку електрооптичного ефекту. Його характеристики також можуть бути змінені зміною структурної будови полікомплексу (довжини спейсера) і шляхом введення до складу композитів органічних барвників різної іонності. Електрооптичний ефект в полімерних композитах з гетерополіядерними комплексами обумовлений зміною взаємної орієнтації будівельних блоків у комплексі. Для полімерних композитів із площинною будовою ефект негативний, а для полімерних композитів із каркасною будовою - позитивний. Запропоновані феноменологічні моделі, в рамках яких якісно пояснюються представлені експериментальні результати. В полімерних композитах на основі полі комплексів азобензолу вперше здійснено голографічний запис, який може бути охарактеризований як поляризаційний.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах