Бут А. В. Цілеспрямована стимуляція перебудови полів дефектів структури кристалів CdZnTe і ZnSe:Te

Об'єкт: промислові кристали Cd1-xZnxTe (x 0.2) і ZnSe:Te, які вирощено з розплаву методом Бріджмена та Бріджмена-Стокбаргера. Мета: встановлення закономірностей впливу електромагнітного і електричного полів на характер перебудови пружних та електричних полів дефектів структури кристалів CdZnTe і ZnSe:Te та розробка засобів для її стимуляції. Методи: хімічного травлення, оптичні (оптико-поляризаційний, тіньовий, оптична та ІЧ-мікроскопія), діелектричні, фотоелектричні та акустичні. Результати: установлено зв'язок між масштабом субструктури певних смуг ковзання та рівнем залишкових напружень в кристалах ZnSe:Te. Запропоновано сигнатури фотоелектричного та фотодіелектричного відкликів, аналіз конфігурацій яких дозволив виявити та проаналізувати характер зміни структури фотовідклику внаслідок перебудови полів певних дефектів структури. Запропоновано спосіб реєстрації спектрального фотовідклику I(lambda) та спосіб управління формою спектру фотоструму I(lambda) шляхом зміни форми, частоти повторення та тривалості електричних збурень. Розроблено і запатентовано спосіб електроакустичної обробки кристалів, який впроваджено на державному підприємстві "Науково-дослідний технологічний інститут приладобудування". Галузь використання: фізика твердого тіла, фізика напівпровідників та діелектриків, сенсорна та твердотільна електроніка