Червінський О. А. Вплив параметрів і типу базових напівпровідників на характеристики фоточутливих структур на їх основі

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0411U005487

Облікова картка дисертації

0411U005487.pdf

Здобувач

Червінський Олександр Анатолійович

Спеціальність

01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

Дата захисту

01-07-2011

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

Дисертація присвячена оптимізації параметрів серійних сонячних елементів на основі Si та GaAs і дослідженню фізичних процесів у них та у гетеропереході n-InSe/p-CdTe з використанням адаптованого програмного забезпечення. Аргументовано вибір оптимальних бар’єрних структур на основі кремнію, арсеніду галію і телуриду кадмію для найбільш ефективного перетворення сонячної енергії в електричну. За допомогою адаптованого пакета прикладних програм проведено комп’ютерні розрахунки темнових і світлових характеристик фотоелементу, а також його к.к.д. залежно від параметрів матеріалу і випрямляючої структури, температури, знака й величини прикладеної напруги, умов освітлення тощо.

Читати повністю

Керівник роботи

Горлей Петро Миколайович

Офіційні опоненти

Стахіра Павло Йосипович
Остапов Сергій Едуардович

Файли

aref.doc

dissertation.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах