Кудіна В. М. Природа флуктуаційних процесів у сучасних польових транзисторах.

Дисертація присвячена дослідженню низькочастотного шуму сучасних транзисторів метал-оксид-напівпровідник (МОН), виготовлених на підшарках кремній на ізоляторі (КНІ). В роботі проведена шумова характеризація повністю збіднених планарних транзисторів з SiON затворним оксидом і тризатворних finFET-транзисторів з затворними стеками на основі high-k діелектриків (HfSiON, HfO2). Показано, що зазначеним приладам притаманний флікер-шум МакУортера, що дозволило визначити розподіли концентрації пасток вглиб затворних діелектриків. Крім того, встановлено вплив двовісного (sSOI) і одновісного (CESL) напруження на шумові властивості цих транзисторів. Для зазначених приладів також виявлено і за допомогою шумових вимірювань пояснено насичення стокових струмів за великих перенапруг на верхньому затворі, а також їх нетривіальну розмірну залежність. Встановлено, що finFET-транзисторам притаманні шумові ефекти плаваючої бази (шумові лоренціани). Шляхом аналізу останніх за допомогою запропонованої методики було визначено нешумові параметри, що характеризують роботу приладів. Встановлено і за допомогою розробленої моделі пояснено вплив двозатворної конфігурації частково збіднених КНІ транзисторів на шумові ефекти плаваючої бази. Знайдено, що їх придушення у однозатворних аналогах можна досягти через прикладення акумулюючої напруги на їх нижній затвор, що пояснюється в рамках розробленої моделі.