Романець П. М. Нерівноважні процеси у напівпровідникових структурах та графені, обумовлені фотозбудженням або розігрівом носіїв електричним полем

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0411U006293

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

28-10-2011

Спеціалізована вчена рада

Д 26.199.02

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України

Анотація

В дисертації розглянуто нелінійні кінетичні процеси, що супроводжуються модифікацією розподілу носіїв (розігрівом носіїв) у графені з власною провідністю. Зокрема досліджено взаємодію носіїв заряду у графені з фотонним термостатом, що має температуру T2, відмінну від температури T1 фононного термостату, тобто температури графенової структури; показано, що фотонний термостат суттєво впливає на функцію розподілу та кінетичні коефіцієнти, а взаємодія з ним при T2-T1>65К може призвести до від'ємного міжзонного поглинання. Також досліджено нелінійні ВАХ графену з власною провідністю. Описано перехідний процес розігріву носіїв у графені сильним електричним полем, при його раптовому включенні. Показано, що при кімнатних температурах ВАХ є майже лінійною, аж до 12 кВ/см; при T<175 К та E~10 В/см передбачається ефект НДП. Окрім того, вивчаються перехідні кінетичні процеси у графені з власною провідністю, що виникають в наслідок фотозбудження носіїв надкоротким оптичним імпульсом. Розглянуто релаксацію фотозбудженого піку у пасивній області спектру, де процеси взаємодії носіїв з оптичними фононами заборонені; обраховано часову залежність спостережуваних. Досліджено нелінійний когерентний процес фотозбудження носіїв у графені з власною провідністю, що супроводжують осциляції Рабі та оптичні нутації. Також, розглядаються перехідні магнітотранспортні явища у класичних напівпровідникових структурах A3B5. Досліджується можливість від'ємного циклотронного поглинання за рахунок АВП спричиненої частково інвертованим розподілом. В сильних електричних полях в умовах циклотронного резонансу реалізується перехідний стрімінг; на початковій стадії формуванні стрімінгового розподілу також можливе АВП та від'ємне циклотронне поглинання.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах