Гудименко О. Й. Рентгенівська дифрактометрія приповерхневих шарів та гетероструктур на основі Si(Ge) та In(Ga)As.

Дисертація присвячена досліжденню структурних змін в приповерхневих шарах Si та SiGe.Встановлено, що в приповерхневих шарах кремнію, підданих імплантації іонів В+ і As+ при одночасній дії ультразвуку і відпалу зразків при Т = 800 - 950 С відбувається стимульований процес релаксації. Встановлено, що при застосуванні ультразвукового впливу при імплантації He+ в SiGe шари постійного складу, вирощені псевдоморфно на напружених Si підкладках можна керувати ступенем їх релаксації. Показано зростання рівня релаксації SiGe шарів при дії.Методами динамічної теорії дифракції визначено параметри спотвореної кристалічної ґратки шарів, форму та параметри інтерфейсу між шарами. Встановлено, що в InGaAs/GaAs структурах з квантовими нитками, підданих швидкому термічному відпалу (550С 850С) рушійним механізмом структурних перетворень є релаксація залишкових деформацій внаслідок термічно-активованих і деформаційно-підсилених процесів інтердифузії атомів In/Ga на межі поділу квантова нитка-2D шар.