Головинський С. Л. Оптичні переходи і механізм фотопровідності в гетероструктурах InGaAs/GaAs та SiGe/Si з наноострівцями

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0412U000989

Облікова картка дисертації

0412U000989.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.05 - Оптика, лазерна фізика

26-03-2012

Спеціалізована вчена рада

Д 26.001.23

Київський національний університет імені Тараса Шевченка

Анотація

У дисертації викладено результати експериментальних досліджень фотоелектричних та оптичних властивостей двох типів гетероструктур з наноострівцями InGaAs/GaAs та SiGe/GeІ. У спектрах фотопровідності структур InGaAs/GaAsІ виявлено смуги, обумовлені дефектними станами інтерфейсу та квантовими станами наноострівців. Методом термостимульованої провідності досліджено оптичні властивості глибоких дефектних станів та їхній енергетичний спектр. Теоретично описані форма спектрів фотолюмінесценції і фотопровідності та кінетика фотоструму і температурні залежності фотоструму.

Читати повністю

Файли

aref_Golovynskyi.pdf

dis_Golovynskyi.pdf

Схожі дисертації

0523U100268

Адаменко Дмитро Ігорович

Оптична активність та її вплив на акустооптичну взаємодію в фероїчних кристалах

0422U100057

Смалюк Андрій Павлович

Вимушене комбінаційне розсіяння світла лазерних барвників у везикулярних полімерних плівках

0521U101997

Кузнєцова Ганна Олександрівна

Теоретична спектроскопія складних атомних систем в інтенсивному електромагнітному полі

0521U101944

Терновський Валентин Борисович

Релятивістська спектроскопія важких атомів з урахуванням обмінно-кореляційних та радіаційних ефектів

0521U101943

Ігнатенко Ганна Володимирівна

Теоретична спектроскопія та динаміка молекулярних систем у вільному стані та в зовнішньому електромагнітному полі з урахуванням ефектів хаосу