Шелюк І. О. Взаємодія арсенідів і стибідів галію та індію з водними розчинами Н2О2-НВr-розчинник.

Робота присвячена дослідженню хімічної взаємодії монокристалів GaAs, нелегованого і легованого InAs, GaSb та InSb з бромвиділяючими розчинами H2O2-HBr-розчинник. За результатами експериментів з використанням математичного планування на симплексі побудовано 21 діаграму "склад травника - швидкість травлення" цих кристалів в розчинах систем H2O2-HBr-етиленгліколь, H2O2-HBr-лактатна, H2O2-HBr-тартратна та H2O2-HBr-цитратна кислоти з визначенням границь областей поліруючих, неполіруючих і селективних розчинів. Встановлено залежності швидкостей розчинення від температури і швидкості перемішування розчину, визначено лімітуючі стадії процесу розчинення напiвпровiдникiв, виявлено вплив легування на швидкість травлення та границі областей поліруючих розчинів. Встановлено вплив природи розчинника та вмісту H2O2 на швидкість хімічного розчинення, полірувальні властивості розчинів та якість обробленої поверхні. Із аналізу температурних залежностей швидкостей розчинення виявлено існування компенсаційної залежності в кінетиці хімічного травлення GaAs, InAs, InAs(Sn), GaSb і InSb в травниках H2O2-HBr-розчинник. За даними вимірювань електродних потенціалів процесів саморозчинення цих напівпровідників в поліруючих розчинах та залежності їх від часу травлення висловлено припущення про електрохімічні перетворення, які відбуваються при їх поліруванні. Вперше встановлено залежності швидкостей ХМП від ступеня розведення базових поліруючих розчинів H2O2-HBr-органчний компонент в'язкими розчинниками, встановлено вплив їх природи та концентрації на полірувальні властивості сформованих травників та стан полірованої поверхні монокристалів. Оптимізовано склади поліруючих травильних композицій H2O2-HBr-розчинник і технологічні режими ХДП і ХМП для видалення порушеного шару, контрольованого потоншення пластин до заданих розмірів, зняття тонких плівок та фінішного полірування монокристалів GaAs, InAs, InAs(Sn), GaSb та InSb.