Прокопів В. В. Кристалохімія власних точкових дефектів та область гомогенності CdTe, SnTe, PbTe.

На основі комплексного кристалохімічного аналізу (закону діючих мас, термодинамічних потенціалів, кристалоквазіхімічних формул) та експериментальних результатів досліджено дефектну структуру бездомішкових сполук СdТе, SnTe, РbTe: уточнено вид домінуючих точкових дефектів, зарядові стани і залежності їх концентрацій від відхилення від стехіометричного складу у межах областей гомогенності.Запропоновано моделі квазіхімічних реакцій утворення власних точкових дефектів, одержано аналітичні вирази для визначення залежностей концентрацій вільних носіїв заряду та переважаючих власних точкових дефектів від технологічних факторів при реалізації двотемпературного відпалу для кристалів і вирощуванні тонких плівок з парової фази методом гарячої стінки. Використовуючи апроксимацію експериментальних значень меж областей гомогенності, уточнено константи рівноваги відповідних квазіхімічних реакцій.Модифіковано метод термодинамічних потенціалів для визначення концентрацій та уточнення енергетичних параметрів утворення точкових дефектів у досліджуваних матеріалах і побудови їх області гомогенності.Зроблено аналіз кристалоквазіхімічних формул, які визначають власні точкові дефекти та їх комплекси у нестехіометричних кристалах.