Гургула Г. Я. Кристалохімія точкових дефектів та фізико-хімічні властивості цинк халькогенідів.

Методами кристалохімії виконано аналіз дефектних підсистем у чистих ZnX(X=S, Se, Te) та легованих ZnX:Cu(Mg, In, O), ZnX:O:Cu(In) цинк халькогенідах та твердих розчинах на їх основі ZnSехS1-х, ZnSeхTe1-х, ZnSхTe1-х. Розроблено кристалоквазіхімічні формули для нестехіометричних n-ZnX, p-ZnX і самолегованих n-ZnX:X, p-ZnX:Zn кристалів та визначено вид і зарядовий стан домінуючих точкових дефектів, знайдено залежності їх концентрації (N), концентрації вільних носіїв (n, p), холлівської концентрації носіїв струму (nH) від величини і характеру відхилення від стехіометрії та вмісту самолегуючого елемента, встановлено умови реалізації термодинамічних n-p- або p-n-переходів. Визначено кристалохімічні механізми легування цинк халькогенідів елементами різних підгруп Періодичної таблиці (Сu, Mg, In, O). Показано, що якщо купрум у ZnSe:Cu розміщується у міжвузлях, магній і індій заміщають цинк у катіонній підґратці, то оксиген у n-ZnS заміщає халькоген, а у p-типі - вкорінюється у міжвузлях. При подвійному легуванні у ZnS(Se):O:Cu формуються комплекси різного зарядового стану та нейтральні і однозарядні асоціати у ZnS(Se):O:In відповідно. На основі вперше розроблених кристалоквазіхімічних формул та рівнянь повної електронейтральності для твердих розчинів ZnSexS1-x, ZnSexTe1-x, ZnSxTe1-x встановлено механізми їх утворення та дефектну підсистему, визначено умови формування термодинамічних n-p- або p-n-переходів у системах n(p)ZnS-p(n)ZnSe, n(p)ZnSe-p(n)ZnTe, n(p)ZnS-p(n)ZnTe, а також зміну концентрації основних носіїв n(p) у n(p)ZnS-n(p)ZnSe, n(p)ZnSe-n(p)ZnTe, n(p)ZnS-n(p)ZnTe.