Когут З. О. Електронна поляризовність одновісно навантажених кристалів K2ZnCL4 з несумірною фазою.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0412U002672

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

20-04-2012

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

Дисертація присвячена дослідженню баричних залежностей показників заломлення, двопроменезаломлення, положення точок фазових переходів, що охоплюють несумірну фазу та кристалооптичних параметрів діелектричного фероїка K2ZnCl4 в ділянці температур (293-700 К); апроксимації ni(T, ламбда, сігма) формулою Зельмейєра; розрахунку параметрів ефективних ультрафіолетових та інфрачервоних осциляторів, електронної поляризовності, рефракцій та оптичних постійних механічно вільних і навантажених одновісними тисками діелектричних кристалів K2ZnCl4. Використано інтерференційну методику досліджень у поляризованому світлі та метод Обреїмова. Визначено параметри оптичних індикатрис, розраховано параметри ефективних осциляторів, оптичні константи та їхню баричну чутливість. Виявлені зміни пов'язано зі структурою кристалів, запропоновано використання результатів роботи у вимірювальній техніці, в т.ч. у термометрії. Встановлено, що показники заломлення кристалів зростають під впливом одновісних тисків, що зумовлено зміщенням спектрів поглинання в довгохвильову ділянку спектра. Виявлено, що одновісні тиски зміщують точки ФП з пара- в несумірну та сумірну сегнетоелектричну фази в різні температурні ділянки, що спричинено впливом одновісного тиску на структуру кристала, а саме орієнтацію тетраедрів . На підставі ab-initio розрахунків зонної електронної структури, густини станів та оптичних функцій кристала K2ZnCl4 встановлено, що ширина забороненої зони становить Eg = 4,85 еВ і сформована переважно ZnCl4-комплексами. Показано, що одновісні тиски зменшують ширину Eg, а величини dEg/dсигмаі, отримані з безпосередніх розрахунків зонної структури цього кристала добре узгоджуються з оціночними величинами dEg/dсигмаі , отриманими з результатів досліджень баричних змін показників заломлення.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах