Бойко В. А. Випромінювальна рекомбінація в напівпровідниках типу А2В6 і А3В5 в умовах деформаційних впливів.

Дисертація присвячена дослідженню впливу деформацій на випромінювальні рекомбінаційні процеси як у вузькощілинних напівпровідниках (ВН): СdxHg1-xTe i InSb, так і напівпровідниках з досить широкою забороненою зоною: CdTe, Cd(Zn, Se)Te, Cd(S,Se). Перша частина дисертаційної роботи присвячена вирішенню проблеми - збільшеня випромінювальної спроможності ВН InSb і CdxHg1-xTe методом керованої трансформації зонного спектру за допомогою одновісної пружної деформації. В роботі встановлено, що завдяки перебудові зонного спектру ВН під дією деформації суттєво змінюються часи життя носіїв відносно основних каналів рекомбінації, при цьому, прямі випромінювальні переходи стають більш ймовірними а темп безвипромінювальної Оже-рекомбінації різко зменшується. Як наслідок, суттєво (в декілька разів) збільшується квантовий вихід рекомбінаційного випромінювання. Дослідження деформаційних явищ у більш широкозонних напівпровідниках виявило, що генерація і рух дислокацій під дією деформації призводить до значної зміни спектрів ФЛ у вигляді виникнення групи нових смуг і ліній рекомбінаційного випромінювання поблизу краю власного поглинання. За допомогою спектрального і просторово-роздільного ФЛ-аналізу встановлено природу двох серій дислокаційної ФЛ, які виявилися пов'язаними з електронними станами з одного боку - ядер дислокацій, а з іншого - електронними станами дефектів особливого типу, що не мають аналогів при інших методах дефектоутворення.